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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
The Virtual Diode with Electrostatic Doping
BSO - Titre
The Virtual Diode with Electrostatic Doping
Identifiant WoS
WOS:000406883200018
Accès ouvert
OA - Non
Source - Accès ouvert
OA - Non
Type d'accès
Non OA
Editeur

The Electrochemical Society

Source

SILICON COMPATIBLE MATERIALS, PROCESSES, AND TECHNOLOGIES FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUITS AND EMERGING APPLICATIONS 7

ISSN
1938-5862
Type de document
  • Meeting Abstract
Notoriété
0 - Sans notoriété
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
uid:/TP3K4XN7
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